Тюменцы улучшили характеристики одного из компонентов компьютера будущего

| Фото: Сергей Елесин, ИА "Тюменская линия" (архив)

Физики лаборатории мемристорных материалов Школы естественных наук ТюмГУ улучшили электрические характеристики мемристора. Это один из важнейших компонентов компьютера будущего, сообщает управление стратегических коммуникаций вуза.

Ученые определили оптимальный режим магнетронного распыления для осаждения пленок диоксида циркония путем анализа морфологии тонких пленок диоксида циркония и ее влияния на электрические характеристики мемристоров, изготовленных на основе этих пленок.

Анализ режимов показал наличие локального минимума средней шероховатости тонких пленок, что соответствует промежуточному значению мощности распыления материала. Максимальное предельное отношение сопротивлений наблюдается на вольтамперной характеристике мемристора с активным слоем, полученным при этих условиях.

Это указывает на тенденцию улучшения электрических характеристик мемристора с улучшением шероховатости его активного слоя. Результаты работы могут быть использованы при разработке промышленной технологии магнетронного распыления тонких пленок оксидов металлов для твердотельных мемристоров.

Статья "Влияние режимов изготовления на свойства мемристоров на основе ZrO2, полученных методом магнетронного распыления" ученых Андрея Бобылева, Алексея Губина, Марии Свириденко, Никиты Шулаева и Сергея Удовиченко вышла в сборнике 25-й Международной конференции молодых специалистов по электронным приборам и материалам (EDM).